电感耦合等离子体刻蚀系统-氯气

   技术参数

     1、直径8英寸圆片及向下兼容（8、6、4、2及以下尺寸的整片及不规则小片），样品高度不高于3mm；

     2、配置8路工艺气体：O2、CF4、BCl3、SF6、Ar、Cl2、N2、HBr。主刻蚀除Al以外的金属膜层以及部分硅基材料；

      3、下电极温度：-20~90℃；  

      4、ICP上射频：30-3000W，下射频：30-1500W；

      5、工艺控压：5-85mT；

      6、搭载OES功能。

   功能介绍

      1、具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性；

      2、采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离子体密度的均匀控制，满足刻蚀工艺的要求。