磁控溅射

技术参数：   

1、适用于最大8 英寸晶圆、并向下兼容 6英寸、4 英寸的晶圆以及不规则碎片;

2、具有 4个圆形靶枪(3mm≤靶材厚度<6.15mm)，配备一组射频电源(600W)组直流电源(1200W)、一组脉冲直流电源(1000W);

3、抽真空时间: Loadlock 腔室从 7E2Torr 到 5E-5Torr 真空度时间<10min;Process腔极限真空度≤8E-8Torr;真空漏率指标:5E-5Torr*L/min; 

4、配备三路气体(氧气、氩气、氮气)，各自由 100sccm MFC进行控制，控制精度+0.5%，同时具备自动气压调节功能; 

5、基板最高转速为 20rpm，最高加热温度 800℃，温控精度<1℃，均匀性<1℃，同时具备偏压清洗功能(与靶枪共用一组射频电源)。

功能介绍：

本设备属于物理气相沉积系统，设计利用磁控溅射镀制高质量薄膜。磁控溅射 D635 可实现各类金属膜(铬、铝、钛、铂、金、银、钨等)、合金膜(钛钨合金)、氧化膜(氧化硅)、氮化膜(氮化硅)、ITO 膜多种薄膜的镀制，最大支持直径 200mm 晶圆片。所有工艺参数都可根据客户要求进行调整，因此，无论研发还是生产的工艺要求都可灵活适应实现。