HF气相腐蚀系统

技术参数：

1、光片： 刻蚀速率：＞100A/min；

2、片内均匀性：<10% (R/2x)，在＞100A/min刻蚀条件下；

3、片间重复性：<10% (R/2x)，在＞100A/min刻蚀条件下；

4、结构片： 安全高效释放氧化硅，释放后器件结构无粘接。

功能介绍：

本设备主要用于光电子、MEMS等领域以气相的方式腐蚀氧化硅牺牲层，使用HF气体进行氧化硅刻蚀，氧化硅表面与HF反应，生成SiF4分子。这

种工艺主要用来对氧化硅的同向性刻蚀。