晶圆级对准光刻机

技术参数：

1、适用于8英寸及以下晶圆；

2、光源波长350~450nm；

3、正、背面套刻精度分别为≤0.5μm、≤1μm；

4、线宽分辨率：真空接触≤0.8μm，软接触≤2.5μm，20μm间隙≤3.0μm。

功能介绍：

对准光刻系统主要用于MEMS、先进封装、三维封装、化合物半导体、功率器件、太阳能、纳米技术和晶圆片级光学系统等领域的光刻应用。SUSS MicroTec 的 MA/BA8 Gen4 可处理 200mm及以下各种材料、任意厚度的衬底和晶圆。借助大量附加功能，掩模对准光刻不仅能满足多样化的工艺要求，还具有灵活的配置选项。MA/BA8 Gen4是最新一代的半自动光刻对准机，并引进了新的平台系统。此机型的设计符合人体工程学，用户界面友好，成本低，占用面积小，最适合于学术研究及小批量生产使用。