电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统PECVD

技术参数：

1、适用于最大8英寸晶圆，并向下兼容6英寸、4英寸和更小不规则片；

2、可沉积高质量的SiO2, Si3N4和SiOxNy等绝缘介质薄膜材料，也可沉积非晶态的碳化硅a-SiC薄膜；

3、工作温度：室温~300°C，典型沉积温度130°C；

4、ICP功率源13.56MHz，~1200W；下电极偏压源13.56Mhz，~300W；

5、膜厚均匀性(片内)≤±3%(4'')， ≤±5%(8'') ；

6、膜厚重复性(片间)≤±3%。

功能介绍：

该设备主要适用于在半导体（硅和三五化合物）、氧化硅和有机（聚合物和光刻胶）衬底上，用高密度等离子体沉积高质量的绝缘介质膜（SiO2, Si3N4和SiOxNy）、非晶硅膜和碳化硅膜。